Samsung Electronics đang giải quyết nhu cầu băng thông thông qua các sản phẩm mới HBM, GDDR và DRAM được công bố tại Ngày Công nghệ Bộ nhớ hàng năm của mình. Công ty tiếp tục sử dụng phương pháp đặt tên "bolt" với DRAM HBM3E, được đặt tên là "Shinebolt," nhằm cung cấp nguồn năng lượng cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo thế hệ tiếp theo, nâng cao TCO, và tăng tốc quá trình đào tạo mô hình trí tuệ nhân tạo trong các trung tâm dữ liệu. Samsung đang cải tiến phương pháp để xem xét hệ điều hành, nền tảng phần mềm, dịch vụ hội tụ và nhà cung cấp mạng cho các ứng dụng cuối được tối ưu hóa.

Indong Kim, Phó Chủ tịch Samsung về hoạch định sản phẩm và hỗ trợ kinh doanh, nhấn mạnh khả năng tăng công suất và hiệu quả sử dụng điện năng của HBM3E. Shinebolt đạt tốc độ 9,8 Gbps mỗi chân, nhanh hơn tỷ lệ chuyển giao 1,2 terabyte mỗi giây và vượt trội so với tiêu chuẩn JEDEC. Để cải thiện đặc tính nhiệt của Shinebolt, Samsung tối ưu hóa công nghệ màng không dẫn điện (NCF) của mình.

Bộ nhớ GDDR, ban đầu dành cho trò chơi và đồ họa, hiện đã phù hợp cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo. GDDR7 32 Gbps của Samsung cung cấp 1,5 TBps băng thông bộ nhớ cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo khác nhau. Giảm tiêu thụ điện năng là trọng tâm chính.

DRAM DDR5 32 Gb của Samsung giảm tiêu thụ điện năng 10% so với phiên bản tiền nhiệm, mang lại lợi ích cho khách hàng máy chủ muốn tiết kiệm điện năng.

Jim Handy, nhà phân tích chính của Objective Analysis, công nhận các sản phẩm của Samsung nhưng chú ý rằng Shinebolt nổi bật như một HBM với bộ xử lý trí tuệ nhân tạo. Samsung đặt mục tiêu cạnh tranh với SK Hynix trên thị trường HBM.

Việc áp dụng HBM đang gặp nhiều thách thức do giao diện tốc độ cao, trong đó Nvidia có vai trò ra quyết định quan trọng cho các nhà cung cấp HBM.

Sản phẩm GDDR chủ yếu nhắm vào trí tuệ nhân tạo, và sự phát triển của DDR5 bị ảnh hưởng bởi các ứng dụng trí tuệ nhân tạo, đặc biệt là trong các máy chủ.

Samsung Electronics gần đây đã công bố hệ số dạng Mô-đun bộ nhớ đính kèm nén công suất thấp (LPCAMM) để cải thiện hiệu suất PC. LPCAMM cung cấp tính linh hoạt, chiếm ít không gian trên bo mạch chủ hơn và nâng cao hiệu suất và hiệu quả sử dụng điện năng.

Micron Technology cũng công bố bộ nhớ DDR5 tốc độ cao, giải quyết các trung tâm dữ liệu và máy tính cá nhân. DRAM DDR5 1β của họ cung cấp hiệu suất và hiệu quả sử dụng điện năng tốt hơn. Micron tập trung vào các ứng dụng trí tuệ nhân tạo, trí tuệ nhân tạo tổng quát, phân tích dữ liệu và cơ sở dữ liệu trong bộ nhớ.

DRAM LPDDR5X và các giải pháp UFS 3.1 của Micron hướng đến các ứng dụng thực tế tăng cường và metaverse, phù hợp với nền tảng thực tế mở rộng của Qualcomm Technologies, nền tảng Snapdragon XR2 Gen 2 Platform, được phát triển cùng với Meta. Các sản phẩm này cung cấp tốc độ, hiệu suất và mức tiêu thụ điện năng thấp cho các thiết bị thực tế kết hợp và thế giới ảo không cần liên kết.